勢創智能隱裂模組SC-MC-W對應可集成到制絨上料段、刻蝕上料段以及各類硅片分選機中。通過此模組嚴格把控來料質量，減少碎片率，節約客戶的制造成本。兼容硅片的不同方向線痕的上料方式（線痕方向垂直/平行于硅片運動方向）。可適用于單晶、多晶、類單晶等各種硅片與制程片，降低多工序的碎片率。可快速、準確檢出帶有隱裂缺陷的硅片。
核心定位：專為光伏行業硅片、電池片缺陷檢測打造的高精度自動化檢測設備，創新集成 TFC 方案、TFC + 可光見方案、TFC + 背光隱裂方案、明場背光隱裂方案、暗場背光隱裂方案等多樣性檢測技術，融合 NIR 紅外成像技術與 AI 智能算法，實現從硅料切片到電池制程全環節的缺陷全覆蓋檢測。多種方案可按需切換，適配多技術路線電池產品及不同檢測場景，兼顧生產效率與檢測精度，為用戶提供靈活、高效的定制化檢測解決方案
l 檢測場景：硅錠切割后的單 / 多晶硅片、類單晶切片的出廠質檢及制程中間檢測
l 檢測重點：針對隱裂、破片、硅落、崩邊等內外部外觀缺陷做到精準無遺漏檢測，全面驗證來料質量是否符合生產標準，杜絕不合格原料進入生產流程，保障生產線穩定運行
1. 來料檢測
l 檢測場景：外購硅片、半成品電池片的入庫質檢
l 檢測重點：針對隱裂、破片、硅落、崩邊等內外部外觀缺陷做到精準無遺漏檢測，全面驗證來料質量是否符合生產標準，杜絕不合格原料進入生產流程，保障生產線穩定運行。
2. 制程工序階段檢測
l 適配工序：全面覆蓋制絨、擴散、鍍膜（PE 等）、刻蝕、金屬化等電池制造全流程關鍵工序的前后檢測，其中在制絨之后的后道工序中，創新采用暗場檢測方案。
l 核心目的：針對傳統檢測方案易受制造工序差異、制程工藝波動影響，出現成像不清晰、邊緣腐蝕干擾、表面臟污導致檢測失準的行業痛點，憑借方案強兼容性、高抗干擾能力與大容錯率，實時精準監控各制程工藝對電池片造成的損傷，助力企業及時優化調整工藝參數，有效減少因工序不當引發的批量缺陷，大幅提升最終電池片成品率。
l 應用場景：光伏材料缺陷機理研究、新型檢測算法驗證、電池片損傷模擬實驗等
l 核心價值：支持自定義檢測參數（如曝光時間、波長、對焦距離等），多種檢測方案可靈活切換，高精度成像數據可用于學術分析，兼容小批量、多規格樣品測試。
1. 模組結構：主要由相機模塊、光源模塊、機加結構件、計算模塊等四部分構成
2. 全尺寸兼容：支持 156mm×156mm~210mm×210mm（半片、整片）硅片檢測，無需更換適配組件
3. 高速批量檢測：產能≥6000 片 / 小時，適配硅片生產線的連續作業節奏
4. 核心缺陷識別：通過多樣檢測方案組合，精準檢測隱裂、崩邊、缺角、碎片、硅落等典型缺陷
5. 方案靈活切換：根據硅片材質、厚度及檢測需求，可切換明場 / 暗場隱裂方案或 TFC 系列方案，適配不同生產場景。
6. 多技術路線適配：兼容 PERC、TOPCon、HJT、xBC 等主流及新型電池技術
7. 自動化集成：支持在線或離線機臺 ，與生產線自動化對接，實現檢測、分選、報警的、剔除全流程自動化，減少人工干預
8. 缺陷溯源：AI 算法自動記錄缺陷位置、類型及尺寸，生成檢測數據并保存原圖和標記圖，便于生產工藝追溯優化
9. 高精度數據輸出：成像精度≥0.1mm/pixel，多種檢測方案可捕捉不同類型微小缺陷細節，為研究提供全面精準的數據支撐
10. 參數靈活可調：曝光時間、檢測對象缺陷大小，長度，灰度等核心參數支持手動自定義，多樣檢測方案可適配不同生產場景
11. 多維度分析支持：生成的成像數據可導出，可結合第三方分析軟件，滿足生產統計或學術研究的深度分析需求
·多方案快速切換：支持明場 / 暗場隱裂方案、TFC 系列方案（含獨創 TFC、TFC + 可光見、TFC + 背光隱裂方案）一鍵切換，可根據硅片材質、厚度及檢測場景精準匹配，無需額外調試。
·解決了傳統隱裂檢測設備因來料線痕方向多樣，易出現成像局部過亮、過暗的行業痛點，確保全場景檢測成像均勻穩定。
· 多技術路線兼容：全面適配 PERC、TOPCon、HJT、xBC 等主流及新型電池技術，同時兼容多晶、單晶、類單晶硅片及鍍膜前 / 后半成品電池，適配性廣泛。
· 全工序無縫銜接：針對來料、制絨、鍍膜、擴散、刻蝕、金屬化等不同工序檢測需求，配備專屬定制方案，無需改造設備即可實現全流程銜接，適配生產線連續作業。
· 高速批量檢測：產能≥6000 片 / 小時，檢測時間僅需 0.25~0.5s，完美匹配硅片及電池片生產線的連續作業節奏，大幅提升檢測效率。
· 核心缺陷全覆蓋：通過多方案組合檢測，精準識別隱裂、崩邊、缺角、碎片、硅落、缺口、劃傷等內外部外觀缺陷，做到無遺漏檢測。
· 自動化集成溯源：支持與生產線自動化軌道無縫對接，實現檢測、分選、報警全流程自動化，減少人工干預；AI 算法自動記錄缺陷位置、類型及尺寸，生成專業檢測報告，便于生產工藝追溯與優化。
· 超高成像精度：搭載 1k/4k 分辨率相機，成像精度≥0.1mm/pixel，可捕捉微小缺陷細節，配合 900nm~1700nm 晶硅專用檢測波長，缺陷與正常區域對比度高，成像清晰無噪點。
· 缺陷檢測精準：檢測精度可達 50μm 裂紋寬度識別，有效規避因制造工序差異、制程工藝波動、表面臟污等導致的檢測失準問題，檢測準確率高、誤檢率低。
· 硬件兼容靈活：全尺寸覆蓋 156mm×156mm~210mm×210mm（半片、整片）硅片 / 電池片檢測，無需更換適配組件；載物臺可按需定制，適配自動化軌道，硬件支架采用鋁合金、金屬鈑金等耐用材質，設備運行穩定。
· 軟件參數可調：支持曝光時間（10 微秒～1秒）、檢測波長、對焦距離（400-650mm）等核心參數手動自定義，適配不同實驗及生產場景需求。
· 數據交互便捷：生成的成像數據可導出，兼容第三方分析軟件，同時標配 Windows 平臺 AI 檢測軟件，滿足生產質檢與學術研究的多維度數據處理需求。
| 參數名稱 | 技術指標 |
|---|---|
| 型號 | SC-MC-W |
| 相機規格 | 成像：NIR增強型InGaAs相機/4K線陣CMOS相機 分辨率：1k/4k像素 曝光時間：10微秒~10秒 可響應范圍：900nm~1700nm |
| 紅外像素 | 1024*1像素/4096*2像素 |
| 鏡頭規格 | 高清廣角鏡頭，焦距（16mm/25mm/45mm多規格選配），視場角≥80°，可選配長焦鏡頭實現局部放大檢測 |
| 光源規格 | 半導體激光，波長1100±5nm/1300±5nm/1450nm±5nm |
| 光斑均勻性 | ≥90%（有效檢測區域內） |
| 曝光周期 | 20us~10000us（根據檢測對象響應時間自定義設置，最小步長1ms） |
| 檢測波長范圍 | 900nm~1700nm（晶硅專用） |
| 兼容尺寸規格 | 156mm*156mm~210mm210mm（半片，整片均兼容） |
| 檢測對象厚度 | 160~200um |
| 檢測對象 | 晶硅電池（PERC、TOPCon、HJT、xBC等）；鍍膜（包含）制程前工序電池均可檢測 |
| 可檢測缺陷類型 | 隱裂、崩邊、硅落、缺口、缺角、碎片、劃傷等 |
| 載物臺尺寸 | 適配自動化軌道（按需定制） |
| 控制方式 | 自研上位軟件全自動化控制 |
| 檢測精度 | 可檢測出裂紋寬度大于50μm |
| 成像精度 | ≥0.1mm/pixel |
| 對焦模式 | 手動對焦 |
| 硬件支架 | 鋁合金型、鋁合金、金屬鈑金等 |
| 檢測時間 | 0.25s~2s（根據自動化機臺運行速度判斷） |
| 對焦距離 | 400-650mm（根據現場環境適配） |
| 測試平臺 | windows平臺，標配AI檢測軟件 |
| 功率 | 500-1000W |
| 電源特性保護 | 逆電流保護，過載保護，漏電保護，靜電保護，過熱保護 |
| 運算設備 | 工控計算機 |
| 環境溫度 | 溫度15-50℃，相對濕度30%-70%（無凝結） |
| 設備重量 | 約20kg（以實物為準） |
| 外形尺寸 | 350×250×600mm（長×寬×高，以實物為準） |
| 供電 | 單相AC220V±10%，50HZ±1HZ |
 |  |  |  |  |
多晶TFC隱裂圖 | 多晶TFC隱裂細節圖 | 單晶TFC隱裂細節圖 | 單晶硅片隱裂TFC | 多晶硅片隱裂TFC |
 |  |  |  |  |
明場方案下隱裂 | 明場方案下隱裂 | 明場方案下硅脫、硅 | 明場方案下缺口和隱裂 | 明場方案下崩邊 |
 |  |  |  |  |
暗場方案下硅脫 | 暗場方案下穿孔 | 暗場方案下隱裂 | 暗場方案下硅落 | 暗場方案下崩邊 |
聯系我們
第一時間了解我們的新產品發布和最新的資訊文章。 南京勢創智能科技有限公司依托南京香寧人工智能研究院成立，匯聚南京321人才等多位行業科技人才，致力于人工智能技術開發與應用，機器視覺研發與應用。公司已服務于光伏行業、平板顯示行業、冶金行業等多家知名企... 您有什么問題或要求嗎？
點擊下面，我們很樂意提供幫助。 聯系我們
