勢創智能 | 晶硅/鈣鈦礦PL/EL檢測儀
覆蓋主流與前沿光伏技術路線，可檢測晶硅電池（PERC、TOPCon、HJT、xBC等）、鈣鈦礦單節電池（含柔性）、晶硅-鈣鈦礦疊層電池（單端/雙端），適配高校、實驗室研發與工業量產質控場景，覆蓋電池全生命周期檢測。
原材料質量管控：通過PL檢測分析核心原材料晶體結構、雜質分布，從源頭排除缺陷，降低返工成本。
全流程工藝監控：貫穿生產關鍵環節，捕捉工藝波動缺陷，通過量化數據支撐參數調整，保障產品質量穩定。
成品檢測與分級：全面排查缺陷并評估性能，實現產品分級，確保符合行業標準，規避下游應用風險。
研發創新支撐：為高效電池技術迭代、缺陷機理研究等提供量化數據，加速新技術產業化。
雙模成像：集成 EL、PL 雙模式發光檢測能力，可針對同一檢測靶區的發光圖像開展同步對標分析，完整呈現各類缺陷的具體形態與分布態勢。具體來看，借助 EL 成像能夠鎖定隱裂缺陷造成的電流阻斷區域，依靠 PL 成像則可甄別晶界處的非輻射復合中心。
自動化控制：以智能自動化控制系統為核心，對氣缸和電機實施精準指令控制，達成電池組件的自動傳送、位置校準及升降調整，顯著強化檢測作業的高效性與結果重復性。
核心光源與參數適配：采用高穩定、高功率密度半導體激光光源，主波長標配808±5nm（可按需選配450、915、980nm等波段），光斑均勻性≥90%，功率可調0.1~2個sun，精準匹配各類電池激發需求。
檢測原理與缺陷識別：激光穿透電池表層激發載流子躍遷發光，由高靈敏度NIR增強型紅外相機（最大幀率4.5FPS）捕捉信號，快速生成≥0.1mm/pixel的高分辨率PL圖像。施加正向偏壓促使載流子遷移復合發光，通過與PL共用的近紅外成像系統生成EL圖像，可精準識別隱性斷線等PL難檢出的缺陷，實現缺陷全面覆蓋。
核心功能與應用價值：結合自研算法可精準解析少子擴散長度、壽命（精度±0.1μs，τ≤10μs）等核心參數；具備非接觸無損特性，兼顧實驗室研發與工業量產檢測，為電池性能評估提供核心直接依據。
電源模塊與參數優勢：搭載高精度程控電源模塊，支持恒流/恒壓雙模式切換，輸出電壓0~30V（精度±1%）、電流0~10A（精度±1%），精準匹配不同電池偏壓需求，保障檢測穩定性。
檢測效率與量產適配：檢測速度快（單塊≤15秒），適配工業量產全流程質控，能快速篩查不合格產品，有效降低后續封裝成本。
涵蓋圖像處理（多種調節方式及格式保存）、數據管理（全自動報表生成與追溯）、精準觀測（光標追蹤與局域統計）、智能分析（缺陷自動分類與MES系統對接）四大核心模塊，滿足多場景使用需求 基于PL/EL圖像生成IVoc、Jo、τ、Rs等系列Mapping圖譜，實現從定性觀察到定量分析的升級，直觀展示性能面分布，精準定位薄弱區域。核心子功能包括各關鍵參數Mapping、Suns-Voc分析等，為性能優化提供數據支撐。
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| 樣品A11:Hot方式渲染 Jo(fA/cm^2) | 樣品A11:Jet方式渲染 Jo(fA/cm^2) | 樣品A11:Hot方式渲染 Jo(fA/cm^2) | 樣品A11:Jet方式渲染 Jo(fA/cm^2) |
利用光照強度控制，測量 Voc 隨光強的變化規律分析復合情況，為電池性能研究提供重要數據支持。
| 參數名稱 | 技術指標 |
|---|---|
| 型號 | SC-PLEL-PS |
| 相機規格 | 成像：NIR增強型 分辨率：2500萬像素 曝光時間：10微秒~30秒 可響應范圍：400nm~1200nm（可按需要選) |
| 紅外像素 | 500~2500萬像素 |
| 鏡頭規格 | 高清廣角鏡頭，焦距（8mm/16mm/25mm多規格選配），視場角≥80°，可選配長焦鏡頭實現局部放大檢測 |
| 光源規格 | 半導體激光，主波長808±5nm，可選配450nm、915nm、980nm等光源 |
| 光斑均勻性 | ≥90%（有效檢測區域內） |
| 檢測周期 | 12us~10000ms（根據檢測對象響應時間自定義設置，最小步長1ms） |
| 檢測波長范圍 | 900nm~1300nm（晶硅專用）、700nm~900nm（鈣鈦礦專用） |
| 可檢測缺陷類型 | 隱裂、斷柵、碎片、劃傷、虛焊、過刻、黑斑、同心圓、低效率片、雜質污染等 |
| 探針配置 | 2~6組排針探針，間距可調節（適配不同柵線間距電池），探針材質為純銅金屬，表面鍍金（可按需定制） |
| 載物臺尺寸 | 50mm×50mm~230mm×230mm（可定制更大尺寸載臺） |
| 控制方式 | 自研上位軟件全自動化控制 |
| 檢測精度 | 可檢測出裂紋寬度大于50μm |
| 成像精度 | ≥0.1mm/pixel |
| 對焦模式 | 手動對焦 |
| 硬件支架 | 鋁合金型、鋁合金、金屬鈑金等 |
| 檢測時間 | 0.1s~10s（根據檢測對象自動） |
| 對焦距離 | 130-650mm |
| 測試平臺 | windows平臺 |
| 恒流電流 | 0~10A可調，精度±1% |
| 恒流電壓 | 0~30V可調，精度±1% |
| 功率 | 1000-2000W |
| 電源EL特性保護 | 逆電流保護，過載保護，漏電保護，靜電保護，過熱保護 |
| 運算設備 | 工控計算機 |
| 檢測對象 | 晶硅電池（PERC、TOPCon、HJT、xBC等）、鈣鈦礦單節電池、晶硅-鈣鈦礦疊層電池（裸片、帶膜片、封裝組電池均可檢測） |
| 設備重量 | 約100kg |
| 環境溫度 | 溫度15-50℃，相對濕度30%-70%（無凝結） |
| 設備重量 | 約200kg（以實物為準） |
| 外形尺寸 | 1000×900×1600mm（長×寬×高，以實物為準） |
| 供電 | 單相AC220V±10%，50HZ±1HZ |
| 檢測類型 | 檢查對象 | 黑白成像 | 偽彩成像 | 成像分析 |
|---|---|---|---|---|
| PL光致發光檢測 | 晶硅電池 |  |  | 通過PL信號強度分布評估結晶質量與載流子壽命：亮區對應結晶完好、載流子壽命長的區域，暗線/暗斑為隱裂、金屬雜質或氧碳沉淀等缺陷，可量化缺陷分布密度與影響范圍| |
| 鈣鈦礦電池 |  |  | 分析薄膜均勻性與缺陷態密度：發光強度均勻性反映薄膜制備一致性，暗斑對應缺陷富集區或界面復合中心，可通過峰位特征判斷組分偏析情況 | |
| 鈣鈦礦疊層電池-鈣鈦礦層 |  |  | 聚焦鈣鈦礦層本征特性與界面匹配：評估薄膜結晶質量及與傳輸層的界面復合程度，發光衰減異常區域提示界面態密度過高，影響載流子分離效率 | |
| 鈣鈦礦疊層電池-晶硅層 |  |  | 針對性檢測晶硅層缺陷與載流子輸運：排除鈣鈦礦層干擾，識別晶硅層隱裂、雜質污染等缺陷，通過信號強度量化載流子壽命，判斷疊層結構對晶硅層性能的影響 | |
| EL電致發光檢測 | 晶硅電池 |  |  | EL能識別電極接觸異常與判斷載流子輸運：通過EL成像，可輔助判斷載流子輸運情況，結合EL成像，能識別電極接觸異常問題，暗區還可指示隱裂、斷柵等結構缺陷 |
| 鈣鈦礦電池 |  |  | 識別缺陷類型與電流分布均勻性：暗斑對應激光劃線偏差、隱裂或材料壞點，灰度不均提示薄膜厚度/組分差異導致的電流分布異常，可追溯層壓、封裝等工藝問題 | |
| 鈣鈦礦疊層電池-鈣鈦礦層 |  |  | 評估層間兼容性與電流匹配性：檢測鈣鈦礦層與中間連接層的接觸質量，發光異常區域反映載流子注入/抽取障礙，為優化疊層界面結構提供依據 | |
| 鈣鈦礦疊層電池-晶硅層 |  |  | 評估層間兼容性與電流匹配性：檢測鈣鈦礦層與中間連接層的接觸質量，發光異常區域反映載流子注入/抽取障礙，為優化疊層界面結構提供依據分析晶硅層電極性能與整體協同性：重點識別晶硅層與疊層電極的接觸缺陷，通過發光強度分布判斷兩層載流子輸運的匹配程度，避免局部電流擁堵導致效率衰減 |
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